酷瑞百科12月21日消息，集邦咨询的报告显示，ASML阿斯麦将在2024年生产最多10台新一代高NA(数值孔径) EUV极紫外光刻机，其中Intel就定了多达6台。
同时，三星星也在积极角逐新光刻机，台积电感觉压力巨大。
NA数值孔径是光刻机光学系统的重要指标，直接决定了光刻的实际分辨率，以及最高能达到的工艺节点。
金属间距缩小到30nm以下之后，也就是对应的工艺节点超越5nm，低NA光刻机的分辨率就不够了，只能使用EUV双重曝光和/或曝光成形(pattern shaping)技术来辅助，不但会大大增加成本，还会降低良品率。
因此，更高的NA成为必需。
ASML 9月份曾宣布，将在今年底发货第一台高NA EUV光刻机，型号“Twinscan EXE:5000”，从0.33做到0.55，光刻分辨率缩小到8nm，可制造2nm工艺乃至更先进的芯片。
ASML没有公布第一台高NA EUV光刻机的客户，但业界普遍认为正是Intel。
Intel最初就计划利用新光刻机投产Intel 18A工艺，但因为等不及，只能改用已有的0.33 NA NXE:3600D/3800E叠加双重曝光。
ASML明年量产的高NA EUV光刻机，将是改进型的Twinscan EXE:5200，支持大规模量产。
未来，ASML将把年产量进一步提高到20台左右。
这种新光刻机的成本和价格没有公开，猜测至少3亿美元，甚至可能达到或超过4亿美元，也就是逼近人民币30亿元。
目前的低NA EUV光刻机需要2亿美元左右。
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