日本光刻机大厂佳能（Canon）在今年10月13日宣布推出可以制造尖端芯片的纳米压印（Nanoprinted lithography，NIL）设备FPA-1200NZ2C之后，佳能首席执行官御手洗富士夫近日在接受采访时再度表示，该公司新的纳米压印技术将为小型半导体制造商生产先进芯片开辟一条道路，使得生产先进芯片的技术不再只有少数大型半导体制造商所独享。
纳米压印技术并不利用光学图像投影的原理将集成电路的微观结构转移到硅晶圆上，而是更类似于印刷技术，直接通过压印形成图案。在晶圆上只压印1次，就可以在特定的位置形成复杂的2D或3D电路图。
当下的5nm制程的先进半导体制造设备市场，则由ASML的EUV光刻机所垄断，单台价格约1.5亿美元。
对于接下来更为先进的2nm及以下制程的芯片，ASML也推出了成本更为高昂的High-NA EUV光刻机，单台价格或将超过3亿美元，这也使得尖端制程所需的成本越来越高。
相比之下，佳能的目前纳米压印技术将可以使得芯片制造商不依赖于EUV光刻机就能生产最小5nm制程节点的逻辑半导体。
佳能半导体设备业务部长岩本和德还表示，如果改进光罩，纳米压印甚至可以生产2nm先进制程的芯片。
佳能的纳米压印技术或许将有机会帮助佳能缩小其与ASML的差距。
更为关键的是，佳能的纳米压印设备成本和制造成本都远低于ASML的EUV光刻机。岩本和德表示，客户的成本因条件而异，据估算1次压印工序所需要的成本，有时能降至传统曝光设备工序的一半。而且，因为纳米压印设备的规模较小，在研发等用途方面也更容易引进。
佳能CEO御手洗富士夫此前曾表示，该公司的纳米压印设备的“价格将比ASML的EUV光刻机低一位数（即仅有10%）”。
在客户方面，佳能表示目前收到了半导体厂商、大学、研究所的很多咨询，以期待作为EUV设备的替代产品，使纳米压印设备备受期待。预计，该设备将可用于闪存、个人电脑用DRAM，以及逻辑等多种半导体生产用途上。
