电脑知识网2月2日消息，据国外媒体报道称，长江存储目前已开始出货第五代3D TLC NAND闪存（闪存中使用了Xtacking 4.0架构），共有294层，以及232个有源层。
报道中提到，长江存储已经在新的闪存上追赶上韩国、美国等头部存储企业。
具体来说，长江存储第五代3D TLC NAND闪存的位密度据称超过了20Gb/mm（利用混合键合技术将闪存阵列与CMOS逻辑和接口连接起来，以最大限度地提高存储密度和I/O性能），略低于铠侠和西部数据BiCS8 QLC NAND 闪存的22.9Gb/mm，但整体表现已经非常厉害了。
按照行业人士的说法，目前长江存储已成功将其闪存密度提高到行业相同的水平，该公司现已成为全球NAND市场的有力竞争者。
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