小米自研800V高压碳化硅平台 雷军：实际已达900V

酷瑞百科12月28日消息，在正在举行的小米汽车技术发布会上，雷军称小米自研了800V高压碳化硅平台。

同时其还表示，目前市面上的800V很多都不是800V，只有700多，甚至个别还有500多，虽然在业界都可以统称800V，但小米并不准备这样做。

据悉，小米的800V已经达到了871V，雷军称基本已经可以达到了900V的标准。

同时小米还打造了CTB一体化电池技术，电池包厚度仅120mm，线束减少了91%，同时自研的800V架构最高可容纳150度电池，CLTC续航里程超1200公里；目前成熟的体系为132千瓦时，CLTC续航里程超1000公里。

不止如此，雷军称小米的电池还具有更多高端科技，包括电芯倒置技术，确保安全，还将挑战冬季电车续航之王。