大家好！今天让小编来大家介绍下关于内存时序是什么意思 内存时序简介？内存时序高会怎么样影响电脑性能吗的问题，以下是小编对此问题的归纳整理，让我们一起来看看吧。
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内存时序是什么意思 内存时序简介
1、内存时序（英语：Memory timings或RAM timings）是描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的四个参数：CL、TRCD、TRP和TRAS，单位为时钟周期。它们通常被写为四个用破折号分隔开的数字，例如7-8-8-24。
2、第四个参数（RAS）经常被省略，而有时还会加入第五个参数：Command rate（命令速率），通常为2T或1T，也写作2N、1N。这些参数指定了影响随机存取存储器速度的潜伏时间（延迟时间）。较低的数字通常意味着更快的性能。决定系统性能的最终元素是实际的延迟时间，通常以纳秒为单位。
内存时序高会怎么样影响电脑性能吗
内存时序高说明系统的性能较低，延迟大，故会对电脑的性能产生一定的影响。
内存定时较低的数字通常意味着更快的性能。决定系统性能的最后一个因素是实际延迟，通常以纳秒为单位。
记忆体计时是描述记忆体模组效能的参数。它通常存储在存储模块的spd中，简称cl值，它是记忆的重要参数之一。一些品牌的内存会在内存模块的标签上打印cl值，目前一般较好的内存模块都会在参数中标注cl值。
一般来说，时序是决定存储器性能的一个参数，但并不意味着时序越低，性能越好。它还与存储容量和频率有关，只能说在相同容量和频率的两个存储器中，定时越低，性能越好。
扩展资料：
内存时序具体含义：
存储器定时是描述存储器模块性能的参数，通常存储在存储器模块的spd中，与通用编号“a-b-c-d”对应的参数是“cl trcd trp tras”，其含义如下：
1、cl：列寻址所需的时钟周期（表示延迟的长度）
的确，在相同的频率下，cl值越小，存储模块的性能越好，随着存储模块频率的增加，ddr1-4的cl值越来越大，但其实际cl延迟时间几乎没有变化。这意味着cl值越大，存储模块的cl延迟越大，存储模块的cl延迟越差，相反ddr1-4的cl值越高，上升频率越高。
2、tRCD：行寻址和列寻址时钟周期的区别
TrCD的值对记忆的最大频率有最大的影响，内存模块想达到高频，但如果不能提高电压，放松cl值，只能增加trcd值。
今天的DDR4一般是1.2V。如果你想让CL看起来很好，如果你想让内存模块被超频到一个更高的水平，那么就增加TRCD，如果你想要灯光效果，那么就增加计时。因此，大的trcd并不意味着坏的存储模块，相反，它意味着存储模块可以超过很高的频率。
3、TRP：下一个周期前预充电所需的时钟周期
虽然trp的影响会随着银行的频繁经营而增加，但其影响也会因银行间的交叉经营和指令供给而减弱。trp的放松有利于提高行地址激活和关闭的命中率和准确性，放宽trp，使内存模块更加兼容。
4、tras：存储一行数据时，从操作开始到寻址结束的总时间段。
此操作不经常发生，仅在内存空闲或新任务开始时使用。tras值太小会导致数据错误或丢失，值太大会影响内存性能，如果内存模块的负载较大，tras的值可以稍微放宽。
内存时序是什么 单位是什么
1、内存时序（英语：Memory timings或RAM timings）是描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的四个参数：CL、TRCD、TRP和TRAS，单位为时钟周期。
2、它们通常被写为四个用破折号分隔开的数字，例如7-8-8-24。第四个参数（RAS）经常被省略，而有时还会加入第五个参数：Command rate（命令速率），通常为2T或1T，也写作2N、1N。这些参数指定了影响随机存取存储器速度的潜伏时间（延迟时间）。较低的数字通常意味着更快的性能。决定系统性能的最终元素是实际的延迟时间，通常以纳秒为单位。
内存时序怎么设置
内存时序是一种参数,一般存储在内存条的SPD上，设置方式如下：
1、F12进入BIOS，在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”。
2、BIOS设置中可能出现的其他描述有，Automatic Configuration，Auto，Timing Selectable，Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable）。
3、内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS。
4、预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。
首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。
扩展资料：
内存延迟参数最常见的几项为CAS(CL)、tRCD、tRP 、tRAS，这其中大多数是沿用JEDEC的内存标准而来。下面是几种参数的设置方式：
1、较低的CAS周期能减少内存的潜伏周期以提高内存的工作效率。因此只要能够稳定运行操作系统，应当尽量把CAS参数调低。
2、tRCD(RAS To CAS Delay)： 内存行地址控制器到列地址控制器的延迟时间，参数选项有2和3这两个选择，同样是越小越好。
3、tRP(RAS Precharge Time)： 内存行地址控制器预充电时间，参数选项有2和3这两个选择，预充电参数越小则内存读写速度就越快。
4、tRAS(RAS Active Time)： 内存行有效至预充电的最短周期，我们可选的参数选项有5，6或者7这3个，但是在一些nForce 2 主板上的选择范围却很大，最高可到 15，最低达到 1。调整这个参数最好设在5－11之间。
内存时序怎么调
内存时序的调节步骤如下：
在BIOS中打开手动设置。
在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”。
BIOS设置中可能出现的其他描述有，Automatic Configuration，Auto，Timing Selectable，Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable）。
内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS。
预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。
内存时序，一种参数，一般存储在内存条的SPD上。2-2-2-8 4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。
内存卡时序是什么意思
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内存参数规格：
内存的时序参数一般简写为2/2/2/6-11/1T的格式，分别代表CAS/tRCD/tRP/tRAS/CMD的值。 2/2/2/6-11/1T中最后两个时序参数，也就是tRAS和CMD(Command缩写)，是其中较复杂的时序参数。目前市场上对这两个参数的认识有一些错误，因为部分内存厂商直接用它们来代表内存性能。
CMD Rate祥解：
Command Rate译为“首命令延迟“,这个参数的含义是片选后多少时间可以发出具体的寻址的行激活命令，单位是时钟周期。片选是指对行物理Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行）。如果系统指使用一条单面内存，那就不存在片选的问题了，因为此时只有一个物理Bank。
用更通俗的说法，CMD Rate是一种芯片组意义上的延迟，它并不全由内存决定，是由芯片组把虚拟地址解释为物理地址。不难估计，高密度大容量的系统内存的物理地址范围更大，其CMD延迟肯定比只有单条内存的系统大，即使是双面单条。
Intel对CMD这个问题就非常敏感，因此部分芯片组的内存通道被限制到四个Bank。这样就可以比较放心地把CMD Rate限定在1T，而不理用户最多能安装多少容量的内存。
宣扬CMD Rate可以设为1T实际上多少也算是一种误导性广告，因为所有的无缓冲（unbuffered）内存都应具有1T的CMD Rate，最多支持四个Bank每条内存通道，当然也不排除芯片组的局限性。
tRAS：
tRAS在内存规范的解释是Active to Precharge Delay，行有效至行预充电时间。是指从收到一个请求后到初始化RAS（行地址选通脉冲）真正开始接受数据的间隔时间。这个参数看上去似乎很重要，其实不然。内存访问是一个动态的过程，有时内存非常繁忙，但也有相对空闲的时候，虽然内存访问是连续不断的。tRAS命令是访问新数据的过程(例如打开一个新的程序)，但发生的不多。
接下来几个内存时序参数分别为CAS延迟，tRCD,以及tRP，这些参数又是如何影响系统性能的呢？
CAS:
CAS意为列地址选通脉冲(Column Address Strobe 或者Column Address Select),CAS控制着从收到命令到执行命令的间隔时间，通常为2，2.5,3这个几个时钟周期。在整个内存矩阵中，因为CAS按列地址管理物理地址，因此在稳定的基础上，这个非常重要的参数值越低越好。过程是这样的，在内存阵列中分为行和列，当命令请求到达内存后，首先被触发的是tRAS (Active to Precharge Delay)，数据被请求后需预先充电，一旦tRAS被激活后，RAS才开始在一半的物理地址中寻址，行被选定后，tRCD初始化，最后才通过CAS找到精确的地址。整个过程也就是先行寻址再列寻址。从CAS开始到CAS结束就是现在讲解的CAS延迟了。因为CAS是寻址的最后一个步骤，所以在内存参数中它是最重要的。
tRCD:
根据标准tRCD是指RAS to CAS Delay（RAS至CAS延迟)，对应于CAS,RAS是指Row Address Strobe，行地址选通脉冲。CAS和RAS共同决定了内存寻址。RAS(数据请求后首先被激发)和CAS(RAS完成后被激发)并不是连续的，存在着延迟。然而，这个参数对系统性能的影响并不大，因为程序存储数据到内存中是一个持续的过程。在同个程序中一般都会在同一行中寻址，这种情况下就不存在行寻址到列寻址的延迟了。
tRP:
tRP指RAS Precharge Time ，行预充电时间。也就是内存从结束一个行访问结束到重新开始的间隔时间。简单而言，在依次经历过tRAS, 然后 RAS, tRCD, 和CAS之后，需要结束当前的状态然后重新开始新的循环，再从tRAS开始。这也是内存工作最基本的原理。如果你从事的任务需要大量的数据变化，例如视频渲染，此时一个程序就需要使用很多的行来存储，tRP的参数值越低表示在不同行切换的速度越快
总结：
或许你看完以上论述后还是有一些不解，其实大家也没必要对整个内存寻址机制了解的非常透彻，这个并不影响你选择什么规格的内存，以及如何最大程度上在BIOS中优化你的内存参数。最基本的，你应该知道，系统至少需要搭配满足CPU带宽的内存，然后CAS延迟越低越好。
因为不同频率的内存的价格相差并不是很大，除了那些发烧级产品。从长远的目光来考虑，我们建议大家尽量购买高频率的内存产品。这样或许你将来升级CPU时可以节省一笔内存费用，高频率的内存都是向下兼容的。例如如果购买了PC3200 400MHz的内存，标明的CAS延迟是2.5。如果你实际使用时把频率降到333MHz，通常情况下CAS延迟可以达到2。
一般而言,想要保持内存在一个高参数,如果不行可以采取降低频率的方法。但对处理器超频时，都会要求较高的总线速度，此时的瓶颈就在内存系统上，一般只有靠牺牲高参数来保持内存频率和CPU的外频同步。这样可以得到更大的内存带宽，在处理大量数据时就能明显的从中获益，例如数据库操作，Photoshop等。
另外一点值得注意的是，PC3200或PC3500规格的内存，如果CAS延迟可以设为2，也能在一定程度上弥补内存带宽。因为此时CPU和内存交换数据时间隔的时间大大减少了。如果用户经常使用的程序并不需要大的带宽，低CAS延迟也会带来显著的性能提升，例如一些小型游戏和3D应用程序。
如何查看内存时序
内存时序即描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的四个参数：CL、TRCD、TRP和TRAS，单位为时钟周期。它们通常被写为四个用破折号分隔开的数字，列如上图的16-18-18-36。第四个参数经常被省略，而有时还会加入第五个参数：Command rate（命令速率），通常为2T或1T，也写作2N、1N，这些参数指定了影响随机存储存储器速度的延迟时间，较低的数字通常意味着更快的性能，所以也就是越小越好啦，通常以纳秒（ns）为单位。各项数值在这四组数字之中，第一组数字CL（即开头的一组）对内存性能的影响是最明显的，所以很多产品都会把内存CL值标在产品名上，一般DDR4内存的第一项数值在15左右浮动，但是DDR3内存的数值在5到11之间，而且后面三组数值也比DDR4内存要小，也就是说在相同的频率下，DDR3内存是要比DDR4更快的（笔者并不是否定DDR4）。说了关于时序四组数字的定义那么在购买产品时怎么运用到这一小知识点呢？我给大家举个例子，比如芝奇2400 MHz的DDR4内存，它的时序是17-17-17-39，而2666 MHz的内存时序则是19-19-19-43，在实际测试中2666 MHz的内存频率虽然较高，但是由于时序数值也高，性能并没有什么优势。因此大家在选择内存的时候关注频率的同时还要重点看看时序，频率一样的情况下一定要选择时序更低的产品。关于时序，在进行内存超频时也可以通过手动超频来降低时序，不少厂家也会推出超频版本供发烧友选择。
以上就是小编对于内存时序是什么意思 内存时序简介？内存时序高会怎么样影响电脑性能吗问题和相关问题的解答了，内存时序是什么意思 内存时序简介？内存时序高会怎么样影响电脑性能吗的问题希望对你有用！
