9月3日消息，据南京发布公告，经过4年的自主研发，国家第三代半导体技术创新中心（南京），成功攻克沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造的关键技术。 这也是我国在这一领域的首次突破，打破了平面型碳化硅MOSFET芯片性能&ldquo...